Архив публикаций

Тезисы

XXII-ая конференция

Моделирование в среде приборно-технологической САПР TCAD влияния на выходные параметры мощных LDMOS структур режимов создания канальной области

Быкадорова Г.В., Кожевников В.А., Алексеев Р.П.¹

Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «Воронежский государственный университет», Россия, 394006, Воронеж, Университетская пл.1, (473) 2-208-481, bykadorova@vsu.ru

¹ОАО «Научно-исследовательский институт электронной техники», Россия, 394033, Воронеж, ул. Старых Большевиков, д. 5, (473) 2-254-350, ars.sega@gmail.com

1  стр. (принято к публикации)

Разработка и производство кремниевых мощных СВЧ LDMOS транзисторов является актуальной задачей современной электроники, поскольку эти приборы используются в каскадах усилителей мощности систем радиосвязи и телерадиовещания, в базовых станциях сотовой связи, в РЛС различного назначения и других телекоммуникационных системах [1].

Выпускаемые в настоящее время мощные LDMOS транзисторы [2] не обеспечи-вают стабилизации тока стока в области насыщения выходных вольтамперных харак-теристик. Анализ показывает, что к увеличению тока стока на участке насыщения вы-ходной вольтамперной характеристики приводит неоднородность легирования подза-творной (канальной) области LDMOS транзисторов. Эта неоднородность возникает на этапе ионного внедрения примесей вследствие подлегирования канальной области че-рез поликремниевый затвор.

Для решения данной проблемы разработана модель ионного внедрения примесей в подзатворную область с последующей диффузионной разгонкой. С помощью данной модели в среде приборно-технологического проектирования САПР ТСАD Sentaurus исследовано влияние технологических режимов создания канальной области на выход-ные параметры LDMOS транзисторов. При этом решена задача оптимизации распреде-ления примесей в подзатворной области с учетом требуемых значений порогового и пробивного напряжений.

Литература

1. Фармикоун Г. Технология мощных СВЧ LDMOS-транзисторов для радарных пе-редатчиков L-диапазона и авиационных применений. // Компоненты и технологии, №10, 2007. Стр. 14-16.

2. Дикарев В.И., Горохов В.С., Кожевников В.А., Цоцорин А.Н. Новые разработки мощных СВЧ LDMOS транзисторов и усилительных модулей на их основе для ра-диолокационных систем. // Радиопромышленность, вып.1, 2013. Стр. 38.

• открыть в PDF формате (на русском языке) (PDF)